全球首发双层晶体管像素切割式CMOS图像传感器技术

亦同，任天堂电子元件解决方案的公司（下称“任天堂”）同年，的公司已尝试共同开发出全球首创的双层电晶体RGB填充德式CMOS位图电子设备新科技。

据明白，习惯CMOS位图电子设备的光电电晶体和RGB电晶体原产在同一基片，而任天堂的新新科技将光电电晶体和RGB电晶体转化在多种不同的基片层。与习惯位图电子设备相比，这一全在此之后构造使饱和信号量大约提极高至原来的2倍，扩展到了实时区域内并减低噪点，从而显著提极高显像可靠性。引入新新科技的RGB构造，无论是在现阶段还是来得小的RGB尺寸下，都能保持或是提极高RGB现有的特性。

填充德式CMOS位图电子设备构造。任天堂供图

习惯的填充德式CMOS位图电子设备的填充德式构造中，背照德式RGB合组的RGBROM填充在逻辑ROM之上，而信号处理电路包含了逻辑ROM。在RGBROM内，主要用途将光转换为电信号的光电电晶体和主要用途控制信号的RGB电晶体在同一基片层并列。在这样的构造限制下，如何意味着饱和信号量的最大化，对意味着极高实时区域内、极高位图质量的摄影较强重要主导作用。

任天堂共同开发出的全新构造是填充德式CMOS位图电子设备新科技的一项变革。任天堂用于专有的填充新科技，将光电电晶体和RGB电晶体积体电路在转化的基片上，一个填充在另一个前面。

整体而言，在习惯的填充德式CMOS位图电子设备中，光电电晶体和RGB电晶体连接处位于同一基片上。在此之后填充新科技支持引入可以独立优化光电电晶体和RGB电晶体层的架构，从而使饱和信号量相比于习惯位图电子设备缩减大约一倍，进而扩展到实时区域内。

此外，因为传输门 (TRG) 以外的RGB电晶体，包括夺位电晶体 (RST)、为了让电晶体 (SEL) 和缩放电晶体 (AMP)，都处于无光电电晶体原产这一层，所以缩放电晶体（AMP）的尺寸可以缩减。通过缩减缩放电晶体尺寸，任天堂尝试地随之减低了白天和其他昏暗情景下位图较易产生的噪点问题。

据悉，这项新新科技使实时区域内扩展到并减低了噪点，将避免在有明暗差（例如背光设置）的情景下曝光缺乏和过度曝光的问题，即使在强光不充足（例如室内、白天）的情景下也能拍摄极高质量低噪点的位图。任天堂将通过双层电晶体RGB新科技致力于意味着较低质量的显像，例如智能手机拍摄等。

引入双层电晶体RGB新科技的CMOS位图电子设备的横截面。任天堂供图

（回顾）